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型号 RJP020N06T100
厂商 Rohm Semiconductor
描述 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
RJP020N06T100 PDF
代理商 RJP020N06T100
产品目录绘图 xT100 Series SOT-89
标准包装 1
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 240 毫欧 @ 2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10nC @ 4V
输入电容 (Ciss) @ Vds 160pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-243AA
供应商设备封装 MPT3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1637 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 RJP020N06T100CT
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